Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
MOCVD生长GaN力学性能研究 | |
魏同波![]() ![]() | |
2007 | |
Source Publication | 稀有金属材料与工程
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Volume | 36Issue:3Pages:416-419 |
Abstract | 采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。 |
metadata_83 | 中科院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家“863”项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2821378 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16323 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 魏同波,王军喜,李晋闽,等. MOCVD生长GaN力学性能研究[J]. 稀有金属材料与工程,2007,36(3):416-419. |
APA | 魏同波,王军喜,李晋闽,刘酷,&段瑞飞.(2007).MOCVD生长GaN力学性能研究.稀有金属材料与工程,36(3),416-419. |
MLA | 魏同波,et al."MOCVD生长GaN力学性能研究".稀有金属材料与工程 36.3(2007):416-419. |
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