高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MOCVD生长GaN力学性能研究
作者: 魏同波;  王军喜;  李晋闽;  刘酷;  段瑞飞
发表日期: 2007
摘要: 采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。
刊名: 稀有金属材料与工程
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4075.pdf719KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
魏同波;王军喜;李晋闽;刘酷;段瑞飞.MOCVD生长GaN力学性能研究,稀有金属材料与工程,2007,36(3):416-419
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [魏同波]的文章
 [王军喜]的文章
 [李晋闽]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [魏同波]的文章
 [王军喜]的文章
 [李晋闽]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发