MOCVD生长GaN力学性能研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MOCVD生长GaN力学性能研究
	魏同波; 王军喜; 李晋闽; 刘酷; 段瑞飞
	2007
Source Publication	稀有金属材料与工程
Volume	36 Issue:3 Pages:416-419
Abstract	采用MOCVD技术在蓝宝石衬底（0001）面上生长了GaN外延膜，利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌，利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明，薄膜以二维模式均匀生长，表面平整，硬度达22．1MPa，弹性模量为299．5GPa，与衬底结合紧密，临界载荷达1．6N，与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0．13，与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。
metadata_83	中科院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家“863”项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2821378
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16323
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	魏同波,王军喜,李晋闽,等. MOCVD生长GaN力学性能研究[J]. 稀有金属材料与工程,2007,36(3):416-419.
APA	魏同波,王军喜,李晋闽,刘酷,&段瑞飞.(2007).MOCVD生长GaN力学性能研究.稀有金属材料与工程,36(3),416-419.
MLA	魏同波,et al."MOCVD生长GaN力学性能研究".稀有金属材料与工程 36.3(2007):416-419.

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