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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications
作者: Xue Chunlai;  Shi Wenhua;  Yao Fei;  Cheng Buwen;  WANG Hongjie;  Yu Jinzhong;  WANG Qiming
发表日期: 2007
摘要: A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device(with an emitter area of about 880μm~2)was fabricated with 2μm double-mesa technology.The maximum DC current gain β is 214.The BV_(CEO) is up to 10V,and the BV_(CBO) is up to 16V with a collector doping concentration of 1×10~(17)cm~(-3) and collector thickness of 400nm.The device exhibits a maximum oscillation frequency f_(max) of 19.3GHz and a cut-off frequency f_T of 18.0GHz at a DC bias point of I_C=30mA and V_(CE)=3V.MSG(maximum stable gain)is 24.5dB,and U(Mason unilateral gain)is 26.6dB at 1GHz.Due to the novel distribution layout,no notable current gain fall-off or thermal effects are observed in the I-V characteristics at high collector current.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xue Chunlai;Shi Wenhua;Yao Fei;Cheng Buwen;WANG Hongjie;Yu Jinzhong;WANG Qiming.A Multi-Finger Si_(1-x)Ge_x/Si Heterojunction Bipolar Transistor for Wireless Power Amplifier Applications,半导体学报,2007,28(4):496-499
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