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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Detection of Terahertz Photon by GaAs-Based Single Electron Transistor at Low Temperatures
作者: Han Weihua;  Yomoto M;  Kasai S
发表日期: 2007
摘要: A reproducible terahertz (THz) photocurrent was observed at low temperatures in a Schottky wrap gate single electron transistor with a normal-incident of a CH_3OH gas laser with the frequency 2. 54THz.The change of source-drain current induced by THz photons shows that a satellite peak is generated beside the resonance peak. THz photon energy can be characterized by the difference of gate voltage positions between the resonance peak and satellite peak. This indicates that the satellite peak exactly results from the THz photon-assisted tunneling. Both experimental results and theoretical analysis show that a narrow spacing of double barriers is more effective for the enhancement of THz response.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Han Weihua;Yomoto M;Kasai S.Detection of Terahertz Photon by GaAs-Based Single Electron Transistor at Low Temperatures,半导体学报,2007,28(4):500-506
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