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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band
作者: Yao Xiaojiang;  Li Bin;  Chen Yanhu;  Chen Xiaojuan;  Wei Ke;  Li Chengzhan;  Luo Weijun;  WANG Xiaoliang;  Liu Dan;  Liu Guoguo;  Liu Xinyu
发表日期: 2007
摘要: A power amplifier MIC with power combining based on AlGaN/GaN HEMTs was fabricated and measured. The amplifier consists of four 10×120μm transistors. A Wilkinson splitters and combining were used to divide and combine the power. By biasing the amplifier at V_(DS) =40V, I(DS)= 0. 9A, a maximum CW output power of 41. 4dBm with a maximum power added efficiency (PAE) of 32. 54% and a power combine efficiency of 69% was achieved at 5. 4GHz.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yao Xiaojiang;Li Bin;Chen Yanhu;Chen Xiaojuan;Wei Ke;Li Chengzhan;Luo Weijun;WANG Xiaoliang;Liu Dan;Liu Guoguo;Liu Xinyu.AIGaN/GaN HEMTs Power Amplifier MIC with Power Combining at C-Band,半导体学报,2007,28(4):514-517
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