高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加
作者: 王志路;  孙宝权
发表日期: 2007
摘要: 在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4071.pdf299KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
王志路;孙宝权.磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加,半导体学报,2007,28(4):549-552
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [王志路]的文章
 [孙宝权]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [王志路]的文章
 [孙宝权]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发