SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加
王志路; 孙宝权
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:4Pages:549-552
Abstract在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了变化,即由低磁场下电子的非共振隧穿或跳跃电导向高磁场下电子的共振隧穿的转变.
metadata_83唐山师范学院初等教育学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2821659
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16315
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王志路,孙宝权. 磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加[J]. 半导体学报,2007,28(4):549-552.
APA 王志路,&孙宝权.(2007).磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加.半导体学报,28(4),549-552.
MLA 王志路,et al."磁场引起弱耦合超晶格中隧穿电流的增加".半导体学报 28.4(2007):549-552.
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