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高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 | |
马龙; 张杨![]() | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 28Issue:4Pages:563-566 |
Abstract | 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论. |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 微电子学 |
Funding Organization | 国家高技术研究发展计划资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2821662 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16313 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 马龙,张杨,戴扬,等. 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):563-566. |
APA | 马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,&王良臣.(2007).高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析.半导体学报,28(4),563-566. |
MLA | 马龙,et al."高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析".半导体学报 28.4(2007):563-566. |
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