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| 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析 | |
马龙; 张杨 ; 戴扬; 杨富华; 曾一平; 王良臣
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| 2007 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 28Issue:4Pages:563-566 |
| Abstract | 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以及掺杂浓度间的关系,对结果进行了分析与讨论. |
| metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
| Subject Area | 微电子学 |
| Funding Organization | 国家高技术研究发展计划资助项目 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:2821662 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16313 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 马龙,张杨,戴扬,等. 高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):563-566. |
| APA | 马龙,张杨,戴扬,杨富华,曾一平,&王良臣.(2007).高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析.半导体学报,28(4),563-566. |
| MLA | 马龙,et al."高性能InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的研制与器件模拟分析".半导体学报 28.4(2007):563-566. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 4070.pdf（513KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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