Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 | |
刘宗顺; 赵德刚![]() ![]() ![]() ![]() | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 28Issue:4Pages:592-596 |
Abstract | 制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×10~(10) cm~(-2). |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2821668 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16311 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘宗顺,赵德刚,朱建军,等. 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):592-596. |
APA | 刘宗顺.,赵德刚.,朱建军.,张书明.,段俐宏.,...&杨辉.(2007).高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析.半导体学报,28(4),592-596. |
MLA | 刘宗顺,et al."高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析".半导体学报 28.4(2007):592-596. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
4069.pdf(562KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment