SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析
刘宗顺; 赵德刚; 朱建军; 张书明; 段俐宏; 王海; 史永生; 刘文宝; 张爽; 江德生; 杨辉
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:4Pages:592-596
Abstract制作了反向饱和电流为5.5×10~(-14) A/cm~2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×10~(10) cm~(-2).
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2821668
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16311
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘宗顺,赵德刚,朱建军,等. 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析[J]. 半导体学报,2007,28(4):592-596.
APA 刘宗顺.,赵德刚.,朱建军.,张书明.,段俐宏.,...&杨辉.(2007).高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析.半导体学报,28(4),592-596.
MLA 刘宗顺,et al."高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析".半导体学报 28.4(2007):592-596.
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