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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
作者: 郝瑞亭;  徐应强;  周志强;  任正伟;  牛智川
发表日期: 2007
摘要: 采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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郝瑞亭;徐应强;周志强;任正伟;牛智川.GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长,半导体学报,2007,28(7):1088-1091
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