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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制
作者: 于丽娟;  赵洪泉;  杜云;  李敬;  黄永箴
发表日期: 2007
摘要: 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm~2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
于丽娟;赵洪泉;杜云;李敬;黄永箴.硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制,半导体学报,2007,28(7):1117-1120
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