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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器
作者: 赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
发表日期: 2007
摘要: 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×10~(11) rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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赵凯;刘忠立;于芳;高见头;肖志强;洪根深.抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器,半导体学报,2007,28(7):1139-1143
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