InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

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	InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究
	周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 崔利杰; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩
	2007
Source Publication	物理学报
Volume	56 Issue:7 Pages:4099-4104
Abstract	研究了Si重δ掺杂In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能△_0和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas-SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.
metadata_83	中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2836710
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16299
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周文政,林铁,商丽燕,等. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究[J]. 物理学报,2007,56(7):4099-4104.
APA	周文政.,林铁.,商丽燕.,黄志明.,崔利杰.,...&褚君浩.(2007).InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究.物理学报,56(7),4099-4104.
MLA	周文政,et al."InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究".物理学报 56.7(2007):4099-4104.

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