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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究 | |
周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 崔利杰; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩 | |
2007 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 56Issue:7Pages:4099-4104 |
Abstract | 研究了Si重δ掺杂In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能△_0和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas-SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要. |
metadata_83 | 中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2836710 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16299 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周文政,林铁,商丽燕,等. InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究[J]. 物理学报,2007,56(7):4099-4104. |
APA | 周文政.,林铁.,商丽燕.,黄志明.,崔利杰.,...&褚君浩.(2007).InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究.物理学报,56(7),4099-4104. |
MLA | 周文政,et al."InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究".物理学报 56.7(2007):4099-4104. |
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