SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
周文政; 林铁; 商丽燕; 黄志明; 朱博; 崔利杰; 高宏玲; 李东临; 郭少令; 桂永胜; 褚君浩
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:7Pages:4143-4147
Abstract研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2836718
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16297
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周文政,林铁,商丽燕,等. 双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究[J]. 物理学报,2007,56(7):4143-4147.
APA 周文政.,林铁.,商丽燕.,黄志明.,朱博.,...&褚君浩.(2007).双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究.物理学报,56(7),4143-4147.
MLA 周文政,et al."双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究".物理学报 56.7(2007):4143-4147.
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