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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究
作者: 周文政;  林铁;  商丽燕;  黄志明;  朱博;  崔利杰;  高宏玲;  李东临;  郭少令;  桂永胜;  褚君浩
发表日期: 2007
摘要: 研究了基于InP基的In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubniko-de Haas (SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrodinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周文政;林铁;商丽燕;黄志明;朱博;崔利杰;高宏玲;李东临;郭少令;桂永胜;褚君浩.双δ掺杂In_(0.65)Ga_(0.35)As/In_(0.52)Al_(0.48)As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究,物理学报,2007,56(7):4143-4147
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