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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
作者: 胡良均;  陈涌海;  叶小玲;  王占国
发表日期: 2007
摘要: 用高能离子注入(160 keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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胡良均;陈涌海;叶小玲;王占国.Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究,物理学报,2007,56(8):4930-4935
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