SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究
胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:8Pages:4930-4935
Abstract用高能离子注入(160 keV)的方法对InAs/GaAs量子点结构进行掺杂,研究了不同退火工艺处理后量子点的光致发光和电学性能.相对于长时间退火,快速退火处理后的量子点发光通常较强.在相同的退火条件下,量子点发光峰位随着Mn注入剂量的增加,先是往高能量端快速移动,而后发光峰又往低能方向移动.后者可能是由于Mn原子进入InAs量子点,释放了InAs量子点中的应变所致.对于高注入剂量样品和长时间退火样品,变温电阻曲线在40 K附近会出现反常行为.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2855022
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16285
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡良均,陈涌海,叶小玲,等. Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究[J]. 物理学报,2007,56(8):4930-4935.
APA 胡良均,陈涌海,叶小玲,&王占国.(2007).Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究.物理学报,56(8),4930-4935.
MLA 胡良均,et al."Mn离子注入InAs/GaAs量子点结构材料的光电性质研究".物理学报 56.8(2007):4930-4935.
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