不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究

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	不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究
	高宏玲; 李东临; 周文政; 商丽燕; 王宝强; 朱战平; 曾一平
	2007
Source Publication	物理学报
Volume	56 Issue:8 Pages:4955-4959
Abstract	用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4 K下不同量子阱宽度(10-35 nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20 nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.
metadata_83	中国科学院半导体研究所;中国科学院上海技术物理研究所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2855026
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16283
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	高宏玲,李东临,周文政,等. 不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究[J]. 物理学报,2007,56(8):4955-4959.
APA	高宏玲.,李东临.,周文政.,商丽燕.,王宝强.,...&曾一平.(2007).不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究.物理学报,56(8),4955-4959.
MLA	高宏玲,et al."不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究".物理学报 56.8(2007):4955-4959.

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