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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: PECVD沉积SiO_2和SiN_x对p-GaN的影响
作者: 陈宇;  严丽红;  王良臣
发表日期: 2007
摘要: 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO_2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg~-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N_v~+,空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO_2和SiN_x材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO_2过程对p-GaN的影响。
刊名: 红外与激光工程
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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陈宇;严丽红;王良臣.PECVD沉积SiO_2和SiN_x对p-GaN的影响,红外与激光工程,2007,36(2):214-218
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