SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展
张兴旺; 游经碧; 陈诺夫
2007
Source Publication无机材料学报
Volume22Issue:3Pages:385-390
Abstract立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质,在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景.自上世纪80年代开始,低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展,到90年代中期达到高潮,随后进展缓慢,c-BN薄膜研究转入低潮.近年来,c-BN薄膜研究在几方面取得了突破,如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜;成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长;此外,在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展.本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization教育部留学回国人员基金,中科院百人计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2861052
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16273
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张兴旺,游经碧,陈诺夫. 立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展[J]. 无机材料学报,2007,22(3):385-390.
APA 张兴旺,游经碧,&陈诺夫.(2007).立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展.无机材料学报,22(3),385-390.
MLA 张兴旺,et al."立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展".无机材料学报 22.3(2007):385-390.
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