SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
蓝紫光InGaN多量子阱激光器
李德尧; 张书明; 王建峰; 陈俊; 陈良惠; 种明; 朱建军; 赵德刚; 刘宗顺; 杨辉; 梁骏吾
2007
Source Publication中国科学. E辑, 技术科学
Volume37Issue:3Pages:356-359
Abstract在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了InGaN长周期多量子阱激光器结构.三轴晶X射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导GaN激光器,激光器的腔面为GaN的自然解理面,室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3kA/cm~2,特征温度为145K.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization自彖高技术研究发展计划,长春理工大学大功率半导体激光器国家重点实验室项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2870690
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16267
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
李德尧,张书明,王建峰,等. 蓝紫光InGaN多量子阱激光器[J]. 中国科学. E辑, 技术科学,2007,37(3):356-359.
APA 李德尧.,张书明.,王建峰.,陈俊.,陈良惠.,...&梁骏吾.(2007).蓝紫光InGaN多量子阱激光器.中国科学. E辑, 技术科学,37(3),356-359.
MLA 李德尧,et al."蓝紫光InGaN多量子阱激光器".中国科学. E辑, 技术科学 37.3(2007):356-359.
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