SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片
王启明
2007
Source Publication光电子·激光
Volume18Issue:3Pages:257-262
AbstractSi是微电子发展的无可替代基质材料,取之不尽,工艺成熟,立足于Si基材料,发展光网络SOC芯片,是突破上述困扰的重要途径。然而Si属间接带隙,又为立方反演对称的非极性材料,不具优异的天然光学特性。人工改性是突破Si材料本征限制的根本出路,能带工程、纳米工程、局域化工程、光子工程以及声子工程的综合运用,有望实现Si基化全光波长变换器,高速率全光开关乃至Si基激光器,为Si基化、集成化光网络SOC芯片的发展奠定基础,并将开拓出一门崭新的Si基集成光子学。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 336 1 ),国家重点基础研究计划资助项目(2 6CB3 28 2)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2889325
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16255
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王启明. 高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片[J]. 光电子·激光,2007,18(3):257-262.
APA 王启明.(2007).高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片.光电子·激光,18(3),257-262.
MLA 王启明."高速率、低价位、智能化“3C”光网络呼唤Si基化、集成化SOC芯片".光电子·激光 18.3(2007):257-262.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
4020.pdf(345KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王启明]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王启明]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王启明]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.