SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制
魏学成; 赵有文; 董志远; 李晋闽
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:6Pages:869-872
Abstract研究了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理,分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响,利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量的因素.我们得到的不同条件下ZnO单晶CVT生长的实验结果和现象与理论分析一致,获得了ZnO单晶生长的理想条件和高质量的大尺寸ZnO单晶材料。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2909119
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16251
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏学成,赵有文,董志远,等. 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制[J]. 半导体学报,2007,28(6):869-872.
APA 魏学成,赵有文,董志远,&李晋闽.(2007).气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制.半导体学报,28(6),869-872.
MLA 魏学成,et al."气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制".半导体学报 28.6(2007):869-872.
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