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气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制 | |
魏学成![]() | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 28Issue:6Pages:869-872 |
Abstract | 研究了化学气相传输法(CVT)生长ZnO单晶的传输过程、动力学和生长机理,分析了CVT法的传输机理、效率以及温场对传输速率和晶体生长的影响,利用气相-固相单晶成核和生长动力学理论研究了制约单晶生长速度和晶体质量的因素.我们得到的不同条件下ZnO单晶CVT生长的实验结果和现象与理论分析一致,获得了ZnO单晶生长的理想条件和高质量的大尺寸ZnO单晶材料。 |
metadata_83 | 中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2909119 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16251 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 魏学成,赵有文,董志远,等. 气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制[J]. 半导体学报,2007,28(6):869-872. |
APA | 魏学成,赵有文,董志远,&李晋闽.(2007).气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制.半导体学报,28(6),869-872. |
MLA | 魏学成,et al."气相输运法大尺寸ZnO单晶生长的传输过程控制".半导体学报 28.6(2007):869-872. |
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