SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象
苏志国; 许金通; 陈俊; 李向阳; 刘骥; 赵德刚
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:6Pages:878-882
Abstract研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象,实验发现样品的光电导与入射光强有密切的关系,当入射光强由弱到强变化时,样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持续光电导(NPPC)现象。据知,这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以依次产生以上现象的实验报道,通过系统的实验分析和理论研究认为,该现象形成的主要原因是材料中深能级电子陷阱和空穴陷阱共同作用的结果。
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;山东大学信息科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2909121
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16249
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
苏志国,许金通,陈俊,等. 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象[J]. 半导体学报,2007,28(6):878-882.
APA 苏志国,许金通,陈俊,李向阳,刘骥,&赵德刚.(2007).非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象.半导体学报,28(6),878-882.
MLA 苏志国,et al."非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象".半导体学报 28.6(2007):878-882.
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