掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响
	陈瑶; 周玉琴; 张群芳; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 陈诺夫
	2007
Source Publication	半导体学报
Volume	28 Issue:6 Pages:883-886
Abstract	采用反应热蒸发法制备掺sn的In_20_3（ITO）透明导电膜，系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响，结果表明，ITO薄膜（400）取向的优先生长对其透过率影响很小，但可明显增加载流子迁移率，从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅／单晶硅太阳能电池上分别沉积（222）和（400）ITO优先取向膜，光电转换效率分别为10．3％和12．9％，表明（400）取向更有利于提高电池效率。经优化，最佳衬底温度（T_s）为225℃，最佳氧流量（fo_2）为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜，其电阻率可达到4.8x10~(-4)Ω·cm，可见波段的透过率大于90％，性能指数为3.8×10~(-2)□/Ω。
metadata_83	中国科学院研究生院物理科学学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:2909122
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16247
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈瑶,周玉琴,张群芳,等. 掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J]. 半导体学报,2007,28(6):883-886.
APA	陈瑶.,周玉琴.,张群芳.,朱美芳.,刘丰珍.,...&陈诺夫.(2007).掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响.半导体学报,28(6),883-886.
MLA	陈瑶,et al."掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响".半导体学报 28.6(2007):883-886.

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