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掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响 | |
陈瑶; 周玉琴; 张群芳; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 陈诺夫 | |
2007 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 28Issue:6Pages:883-886 |
Abstract | 采用反应热蒸发法制备掺sn的In_20_3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响,结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率。经优化,最佳衬底温度(T_s)为225℃,最佳氧流量(fo_2)为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8x10~(-4)Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10~(-2)□/Ω。 |
metadata_83 | 中国科学院研究生院物理科学学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:2909122 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16247 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈瑶,周玉琴,张群芳,等. 掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J]. 半导体学报,2007,28(6):883-886. |
APA | 陈瑶.,周玉琴.,张群芳.,朱美芳.,刘丰珍.,...&陈诺夫.(2007).掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响.半导体学报,28(6),883-886. |
MLA | 陈瑶,et al."掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响".半导体学报 28.6(2007):883-886. |
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