SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响
陈瑶; 周玉琴; 张群芳; 朱美芳; 刘丰珍; 刘金龙; 陈诺夫
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:6Pages:883-886
Abstract采用反应热蒸发法制备掺sn的In_20_3(ITO)透明导电膜,系统研究了ITO薄膜生长的优先取向对其光电性能的影响,结果表明,ITO薄膜(400)取向的优先生长对其透过率影响很小,但可明显增加载流子迁移率,从而有效降低了薄膜的方块电阻。在两个相同的薄膜硅/单晶硅太阳能电池上分别沉积(222)和(400)ITO优先取向膜,光电转换效率分别为10.3%和12.9%,表明(400)取向更有利于提高电池效率。经优化,最佳衬底温度(T_s)为225℃,最佳氧流量(fo_2)为4sccm。在优化的沉积条件下制备ITO薄膜,其电阻率可达到4.8x10~(-4)Ω·cm,可见波段的透过率大于90%,性能指数为3.8×10~(-2)□/Ω。
metadata_83中国科学院研究生院物理科学学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2909122
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16247
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈瑶,周玉琴,张群芳,等. 掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响[J]. 半导体学报,2007,28(6):883-886.
APA 陈瑶.,周玉琴.,张群芳.,朱美芳.,刘丰珍.,...&陈诺夫.(2007).掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响.半导体学报,28(6),883-886.
MLA 陈瑶,et al."掺Sn的In_20_3透明导电膜生长优先取向对其光电性能的影响".半导体学报 28.6(2007):883-886.
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