高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长
作者: 马平;  魏同波;  段瑞飞;  王军喜;  李晋闽;  曾一平
发表日期: 2007
摘要: 采用氢化物气相外延(HVPE)方法,以蓝宝石作衬底,分别在MOCVD-GaN模板和蓝宝石衬底上直接外延生长GaN。模板上的GaN生长表面平整、光亮,但开裂严重,其(0002)的双晶衍射半高宽最低为141;蓝宝石衬底上直接生长GaN外延层质量较差,其双晶衍射半高宽为168ff,但不发生开裂,HCl的载气流量对预反应有很大的影响,应力产生于外延层和衬底之间的界面处,界面孔洞的存在可以释放应力,减少开裂,光致发光(PL)谱中氧杂质引起强黄光发射。
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
4015.pdf725KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
马平;魏同波;段瑞飞;王军喜;李晋闽;曾一平.蓝宝石衬底上HVPE-GaN厚膜生长,半导体学报,2007,28(6):902-908
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [马平]的文章
 [魏同波]的文章
 [段瑞飞]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [马平]的文章
 [魏同波]的文章
 [段瑞飞]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发