SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
Si基外延GaN的结构和力学性能
魏同波; 王军喜; 刘喆; 李晋闽
2007
Source Publication材料研究学报
Volume21Issue:4Pages:409-413
Abstract采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N.
metadata_83中科院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家八六三高技术2 6AA 3A111资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2909177
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16243
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏同波,王军喜,刘喆,等. Si基外延GaN的结构和力学性能[J]. 材料研究学报,2007,21(4):409-413.
APA 魏同波,王军喜,刘喆,&李晋闽.(2007).Si基外延GaN的结构和力学性能.材料研究学报,21(4),409-413.
MLA 魏同波,et al."Si基外延GaN的结构和力学性能".材料研究学报 21.4(2007):409-413.
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