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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
作者: 孙佳胤;  陈静;  王曦;  王建峰;  刘卫;  朱建军;  杨辉
发表日期: 2007
摘要: 本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.
刊名: 功能材料与器件学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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孙佳胤;陈静;王曦;王建峰;刘卫;朱建军;杨辉.基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制,功能材料与器件学报,2007,13(4):367-370
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