SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
孙佳胤; 陈静; 王曦; 王建峰; 刘卫; 朱建军; 杨辉
2007
Source Publication功能材料与器件学报
Volume13Issue:4Pages:367-370
Abstract本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.
metadata_83中科院上海微系统与信息技术研究所;中科院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家杰出青年基金(No.599252 5),上海市政府国家照明工程计划(No. 5d211 6-3)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2909353
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16241
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
孙佳胤,陈静,王曦,等. 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制[J]. 功能材料与器件学报,2007,13(4):367-370.
APA 孙佳胤.,陈静.,王曦.,王建峰.,刘卫.,...&杨辉.(2007).基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制.功能材料与器件学报,13(4),367-370.
MLA 孙佳胤,et al."基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制".功能材料与器件学报 13.4(2007):367-370.
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