SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性
申继伟; 郭亨群; 曾友华; 吕蓬; 王启明
2007
Source Publication半导体技术
Volume32Issue:9Pages:820-823
Abstract为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料.利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸.在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光.
metadata_83华侨大学,信息科学与工程学院;中国科学院,半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(6 678 53),国家自然科学基金重点资助项目(6 336 1 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2910954
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16239
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
申继伟,郭亨群,曾友华,等. 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性[J]. 半导体技术,2007,32(9):820-823.
APA 申继伟,郭亨群,曾友华,吕蓬,&王启明.(2007).纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性.半导体技术,32(9),820-823.
MLA 申继伟,et al."纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性".半导体技术 32.9(2007):820-823.
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