InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

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题名:	InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算
作者:	杨晓杰; 王青; 马文全; 陈良惠
发表日期:	2007
摘要:	根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).
刊名:	物理学报
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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杨晓杰;王青;马文全;陈良惠.InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算,物理学报,2007,56(9):5429-5435

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