SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器
周梅; 左淑华; 赵德刚
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:9Pages:5513-5517
Abstract提出了一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.该结构在常规的GaN肖特基结构紫外探测器上外加了一层禁带宽度更大的n型AlGaN层,模拟计算结果表明:与常规器件结构相比,该结构能有效地减小表面复合的影响,提高了器件的量子效率.进一步地研究结果还表明:采取较薄、载流子浓度较高的AlGaN层更有利于提高这种新结构器件的量子效率.
metadata_83中国农业大学理学院应用物理系;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization中国农业大学青年教师启动基金(基金号:2 6 7)资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2913818
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16233
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周梅,左淑华,赵德刚. 一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器[J]. 物理学报,2007,56(9):5513-5517.
APA 周梅,左淑华,&赵德刚.(2007).一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器.物理学报,56(9),5513-5517.
MLA 周梅,et al."一种新型GaN基肖特基结构紫外探测器".物理学报 56.9(2007):5513-5517.
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