SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
CMOS超高频整流器
周盛华; 吴南健
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:9Pages:1471-1476
Abstract提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860~960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 4A1 8),国家自然科学基金(批准号:9 6 7 7)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2919989
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16221
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周盛华,吴南健. CMOS超高频整流器[J]. 半导体学报,2007,28(9):1471-1476.
APA 周盛华,&吴南健.(2007).CMOS超高频整流器.半导体学报,28(9),1471-1476.
MLA 周盛华,et al."CMOS超高频整流器".半导体学报 28.9(2007):1471-1476.
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