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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性
作者: 邹继军;  常本康;  杨智;  高频;  乔建良;  曾一平
发表日期: 2007
摘要: 利用多信息量测试系统分别测试了反射式GaAs光电阴极激活后在0(无光照),33和100 lx白光照射情况下阴极的光电流衰减变化曲线,计算得到其寿命分别为320,160和75 min,阴极稳定性随光照强度的增加而降低,测试了只有光照(100 lx)而无光电流流过阴极时阴极的寿命为100 min.通过比较发现光照比光电流对阴极稳定性的影响更大.还测试了阴极在33 lx光照下量子效率曲线随时间的衰减,发现阴极低能光子的量子效率下降速度更快,导致量子效率曲线形状不断发生变化.基于修正后的反射式阴极量子效率公式对这种变化进行了理论分析,发现与光电子的谷间散射和阴极衰减过程中表面势垒形状的变化有关.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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邹继军;常本康;杨智;高频;乔建良;曾一平.GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性,物理学报,2007,56(10):6109-6113
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