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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: In_(0.5)Ga_(0.50As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质
作者: 杨晓杰;  马文全;  陈良惠
发表日期: 2007
摘要: 提出了利用分子束外延方法生长In_(0.5)Ga_(0.5)As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点,并分析量子点的形貌和光学性质随GaAs隔离层厚度变化的特点.实验结果表明,随着耦合量子点中的GaAs隔离层厚度从2 nm增加到10 nm,In_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的密度增大、均匀性提高,Al原子扩散和浸润层对量子点PL谱的影响被消除,而且InAlAs材料的宽禁带特征使其成为InGaAs量子点红外探测器中的暗电流阻挡层.由此可见,选择合适的GaAs隔离层厚度形成InGaAs/InAlAs应变耦合量子点将有益于InGaAs量子点红外探测器的研究.
刊名: 红外与激光工程
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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杨晓杰;马文全;陈良惠.In_(0.5)Ga_(0.50As/In_(0.5)Al_(0.5)As应变耦合量子点的形貌和光学性质,红外与激光工程,2007,36(5):705-707
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