SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池
张心强; 张维佳; 武美伶; 贾士亮; 刘浩; 李国华
2007
Source Publication功能材料
Volume38Issue:10Pages:1741-1744
Abstract在较高工作气压(332.5~399Pa)下,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺制备了优质的本征纳米硅薄膜及掺磷的纳米硅薄膜,并采用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman) 测试技术对其进行了测试和分析.结果表明纳米硅薄膜的XRD谱中存在(111)、(220)和(331)峰位;Raman谱中显示出其薄膜中的晶粒的大小(2~5nm)符合纳米晶的要求.将制备的纳米硅薄膜初步用于栅极/ITO/n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/p-c-Si/Al/Ag结构的异质结(HIT)太阳能电池,开路电压(Voc)达404mV,短路电流密度(Jsc)可达到34.2mA/cm2(AM1.5,100mW/cm~2,25℃).
metadata_83北京航空航天大学,理学院凝聚态物理与材料物理研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area微电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2935701
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16209
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张心强,张维佳,武美伶,等. 纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池[J]. 功能材料,2007,38(10):1741-1744.
APA 张心强,张维佳,武美伶,贾士亮,刘浩,&李国华.(2007).纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池.功能材料,38(10),1741-1744.
MLA 张心强,et al."纳米硅薄膜制备及HIT太阳能电池".功能材料 38.10(2007):1741-1744.
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