SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶
胡卫国; 魏鸿源; 焦春美; 康亭亭; 张日清; 刘祥林
2007
Source Publication半导体学报
Volume28Issue:10Pages:1508-1512
Abstract用金属有机物气相外延在纳米棒ZnO模板上沉积AlN薄膜.SEM测试表明该薄膜形成了一种倾倒纳米棒的表面.而GIXRD测试进一步证实它是纤锌矿结构的AlN,晶粒尺度约为12nm,接近于ZnO纳米棒的直径(30nm).这意味着纳米棒结构的ZnO能限制AlN的横向生长.此外,高温下用H_2刻蚀ZnO直接在生长中实现了外延层的剥离.最终得到了无支撑的AlN纳米晶,完整无破损的区域约为1cm×1cm.定义这个生长机制为"生长-刻蚀-合并"过程.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(批准号:6 5 6 2)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:2937308
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16207
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
胡卫国,魏鸿源,焦春美,等. 用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶[J]. 半导体学报,2007,28(10):1508-1512.
APA 胡卫国,魏鸿源,焦春美,康亭亭,张日清,&刘祥林.(2007).用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶.半导体学报,28(10),1508-1512.
MLA 胡卫国,et al."用纳米棒ZnO作模板生长无支撑的AlN纳米晶".半导体学报 28.10(2007):1508-1512.
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