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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET
作者: WANG Ningjuan;  LI Ning;  LIU Zhongli;  ZHANG GuoQiang;  YU Fang;  Zheng Zhongshan;  LI Guohua
发表日期: 2007
摘要: Radiation hardness of SIMOX(separation by implanted oxygen)/NMOSFET by implanting N and F ion has been carefully studied in this paper.Both N and F ion implantation can reduce hole traps in the buried oxide and the interfacial regions,which consequently improves the radiation hardness,especially under high dose radiation conditions.Moreover,experimental data show that the higher dose of the N and F ion implantation is,the better radiation hardness is achieved.In order to minimize the influence on the threshold voltage of devices,it is important to choose suitable implantation dose and energy of N or F implantation that have smaller impact on the preradiation device performance.
刊名: 功能材料与器件学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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WANG Ningjuan;LI Ning;LIU Zhongli;ZHANG GuoQiang;YU Fang;Zheng Zhongshan;LI Guohua.Radiation hardness characteristic of N-implanted and F-implanted SIMOX/NMOSFET,功能材料与器件学报,2007,13(5):426-430
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