SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响
姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明
2007
Source Publication物理学报
Volume56Issue:11Pages:6654-6659
Abstract硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家高技术研究发展计划(批准号:2 6AA 3Z415),国家重点基础研究发展规划(批准号:2 6CB3 28 2和2 7CB6134 4),国家自然科学基金 (批准号:6 336 1 ,6 676 5) 资助的课题
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3002720
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16179
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姚飞,薛春来,成步文,等. 重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响[J]. 物理学报,2007,56(11):6654-6659.
APA 姚飞,薛春来,成步文,&王启明.(2007).重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响.物理学报,56(11),6654-6659.
MLA 姚飞,et al."重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响".物理学报 56.11(2007):6654-6659.
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