SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析
李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 刘志凯
2007
Source Publication材料科学与工艺
Volume15Issue:5Pages:685-688
Abstract对于在Si(111)上用氧离子束辅助(O~+-assisted)脉冲激光淀积(PLD)生长的ZnO薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对长成的样品进行了异位测试,分析了导致各峰峰位能移的因素;通过异位与原位XPS谱图的比较,指出O+-assisted PLD法生成的ZnO薄膜中存在孔隙;指出生长出的ZnO薄膜中含si成分的厚度不超过18 nm;同时探讨了在长成的ZnO/Si上继续生长GaN薄膜的可行性.
metadata_83(北京)中国地质大学材料科学与工程学院;北京师范大学,分析测试中心;北京市第四十七中学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目(715 1 162),中国地质大学(北京)科技基金资助项目(2 524)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3003541
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16177
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
李庚伟,吴正龙,邵素珍,等. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析[J]. 材料科学与工艺,2007,15(5):685-688.
APA 李庚伟,吴正龙,邵素珍,&刘志凯.(2007).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析.材料科学与工艺,15(5),685-688.
MLA 李庚伟,et al."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si薄膜深度剖析".材料科学与工艺 15.5(2007):685-688.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3981.pdf(470KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[李庚伟]'s Articles
[吴正龙]'s Articles
[邵素珍]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[李庚伟]'s Articles
[吴正龙]'s Articles
[邵素珍]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[李庚伟]'s Articles
[吴正龙]'s Articles
[邵素珍]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.