SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
一种新型2*2 SOI热光开关
杨笛; 余金中; 陈少武; 陈媛媛
2007
Source Publication光电子·激光
Volume18Issue:11Pages:1280-1282
Abstract设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构.深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差.基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs.
metadata_83中央民族大学物理与电子工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家科技部"973"计划资助项目(G2 - 3-66),中央民族大学青年教师科研基金资助项目(CUN 7A)
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3008570
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16175
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨笛,余金中,陈少武,等. 一种新型2*2 SOI热光开关[J]. 光电子·激光,2007,18(11):1280-1282.
APA 杨笛,余金中,陈少武,&陈媛媛.(2007).一种新型2*2 SOI热光开关.光电子·激光,18(11),1280-1282.
MLA 杨笛,et al."一种新型2*2 SOI热光开关".光电子·激光 18.11(2007):1280-1282.
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