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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 一种新型2*2 SOI热光开关
作者: 杨笛;  余金中;  陈少武;  陈媛媛
发表日期: 2007
摘要: 设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构.深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差.基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs.
刊名: 光电子·激光
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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杨笛;余金中;陈少武;陈媛媛.一种新型2*2 SOI热光开关,光电子·激光,2007,18(11):1280-1282
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