SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅基光电子学研究进展与趋势
余金中
2007
Source Publication世界科技研究与发展
Volume29Issue:5Pages:50-56
Abstract近年来硅基光电子材料和器件受到高度的重视.利用外延生长和键合技术成功研制出硅基应变赝衬底、GexSi1-x/Si量子阱、高密度锗量子点、硅基InGaAsP/Si异质结,这些进展为硅基光电子器件提供了坚实的材料基础.同CMOS工艺相结合,实现了硅量子点1.17 μm的受激发射,研制出硅基Raman激光器、1.55 μm混合型激光器、高灵敏度的Si/Ge探测器、谐振腔增强型的SiGe光电二极管、调制频率30 GHz的SOI CMOS光学调制器和16×16的SOI光开关阵列等.硅光电子学将在光通信、光计算等领域获得重要应用.本文综述了国内外硅基光电子材料和器件的进展、我们的研究结果和硅基光电子学的发展趋势.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization科技部"973"项目(No.2 6CB3 28 3和G2 - 3 66),"863"项目(No.22 2AA312 6 ),国家自然科学基金项目(No.NSFC-6 537 1 、6 576 1、6989626 、6 336 1 )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3011525
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16173
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
余金中. 硅基光电子学研究进展与趋势[J]. 世界科技研究与发展,2007,29(5):50-56.
APA 余金中.(2007).硅基光电子学研究进展与趋势.世界科技研究与发展,29(5),50-56.
MLA 余金中."硅基光电子学研究进展与趋势".世界科技研究与发展 29.5(2007):50-56.
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