SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制
种明; 马文全; 苏艳梅; 张艳冰; 胡小燕; 陈良惠
2007
Source Publication红外与激光工程
Volume36Issue:6Pages:782-784
Abstract采用GaAs/AIGaAs和InGaAs/AIGaAs多量子阱,研制出了双色同像素读取结构的中波/长波量子阱红外探测器及160x128元中波/长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术,在5.08cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺。二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77K时,对量子阱红外探测器测试,得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=(1.61-1.90)x10~(10)cmHz~(1/2)W~-1和(1.54-2.67)x10^10cmHz~(1/2)W~-1)。中、长波段峰值波长分别为(2.7-3.8)μm和8.3μm。
metadata_83中国科学院半导体研究所;华北光电技术研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家863计划资助项目(2 2AA3131 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3039890
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16169
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
种明,马文全,苏艳梅,等. 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制[J]. 红外与激光工程,2007,36(6):782-784.
APA 种明,马文全,苏艳梅,张艳冰,胡小燕,&陈良惠.(2007).双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制.红外与激光工程,36(6),782-784.
MLA 种明,et al."双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制".红外与激光工程 36.6(2007):782-784.
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