双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制
	种明; 马文全; 苏艳梅; 张艳冰; 胡小燕; 陈良惠
	2007
Source Publication	红外与激光工程
Volume	36 Issue:6 Pages:782-784
Abstract	采用GaAs／AIGaAs和InGaAs／AIGaAs多量子阱，研制出了双色同像素读取结构的中波／长波量子阱红外探测器及160x128元中波／长波双色多量子阱红外探测器芯片。器件的材料结构生长是采用分子束外延技术，在5．08cm半绝缘GaAs衬底上完成的。发展了双色大面阵制备工艺。二维光栅的制备使用标准光刻和离子束刻蚀技术。在77K时，对量子阱红外探测器测试，得到中、长波段峰值探测率分别为Dλ=（1．61-1．90）x10~(10)cmHz~(1/2)W~-1和（1．54-2．67）x10^10cmHz~(1/2)W~-1)。中、长波段峰值波长分别为（2．7-3．8）μm和8．3μm。
metadata_83	中国科学院半导体研究所;华北光电技术研究所
Subject Area	光电子学
Funding Organization	国家863计划资助项目（2 2AA3131 ）
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:3039890
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16169
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	种明,马文全,苏艳梅,等. 双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制[J]. 红外与激光工程,2007,36(6):782-784.
APA	种明,马文全,苏艳梅,张艳冰,胡小燕,&陈良惠.(2007).双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制.红外与激光工程,36(6),782-784.
MLA	种明,et al."双色量子阱红外探测器大面阵芯片的研制".红外与激光工程 36.6(2007):782-784.

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