SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
AlGaN/GaN异质结紫外探测器
陈俊; 许金通; 李雪; 陈亮; 赵德刚; 李向阳
2007
Source Publication红外与激光工程
Volume36Issue:6Pages:917-919
Abstract采用p-AlGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱。对于Al组分为0.1的器件,在零偏压处出现了板低的暗电流密度,表明器件具有非常高的信噪比。高分辨率X射线衍射仪对材料的测试结果表明,高铝组分(0.1)窗口层薄膜材料的晶体质量较差,导致暗电流增大,而其窗口层的窗口选择作用则可以得到较高的响应率和较宽的响应波段。
metadata_83中国科学院上海技术物理研究所;中国科学院北京半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization上海市科学技术委员会资助项目( 4dg 5116 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3039925
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16165
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陈俊,许金通,李雪,等. AlGaN/GaN异质结紫外探测器[J]. 红外与激光工程,2007,36(6):917-919.
APA 陈俊,许金通,李雪,陈亮,赵德刚,&李向阳.(2007).AlGaN/GaN异质结紫外探测器.红外与激光工程,36(6),917-919.
MLA 陈俊,et al."AlGaN/GaN异质结紫外探测器".红外与激光工程 36.6(2007):917-919.
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