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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
作者: 贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
发表日期: 2007
摘要: 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是
刊名: 光谱学与光谱分析
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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贾国治;姚江宏;张春玲;舒强;刘如彬;叶小玲;王占国.光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充,光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181
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