光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充

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题名:	光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
作者:	贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国
发表日期:	2007
摘要:	采用固态源分子束外延技术在GaAs（100）衬底上，制备了InAs量子点，对样品进行原子力显微镜测试，统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明，在室温和77K下，小量子点的发光峰均占主导地位，原因可能是
刊名:	光谱学与光谱分析
专题:	中国科学院半导体研究所（2009年前）_期刊论文

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贾国治;姚江宏;张春玲;舒强;刘如彬;叶小玲;王占国.光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充,光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181

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