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光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充 | |
贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲![]() | |
2007 | |
Source Publication | 光谱学与光谱分析
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Volume | 27Issue:11Pages:2178-2181 |
Abstract | 采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是 |
metadata_83 | 南开大学泰达应用物理学院;中国科学院半导体研究所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金项目(6 476 42),天津市应用基础研究计划重点项目( 6YFJZJC 11 ),长江学者创新团队发展计划资助 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:3050277 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16161 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 贾国治,姚江宏,张春玲,等. 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充[J]. 光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181. |
APA | 贾国治.,姚江宏.,张春玲.,舒强.,刘如彬.,...&王占国.(2007).光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充.光谱学与光谱分析,27(11),2178-2181. |
MLA | 贾国治,et al."光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充".光谱学与光谱分析 27.11(2007):2178-2181. |
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