SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充
贾国治; 姚江宏; 张春玲; 舒强; 刘如彬; 叶小玲; 王占国
2007
Source Publication光谱学与光谱分析
Volume27Issue:11Pages:2178-2181
Abstract采用固态源分子束外延技术在GaAs(100)衬底上,制备了InAs量子点,对样品进行原子力显微镜测试,统计结果表明量子点尺寸呈双模分布。光致发光谱研究表明,在室温和77K下,小量子点的发光峰均占主导地位,原因可能是
metadata_83南开大学泰达应用物理学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金项目(6 476 42),天津市应用基础研究计划重点项目( 6YFJZJC 11 ),长江学者创新团队发展计划资助
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3050277
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16161
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
贾国治,姚江宏,张春玲,等. 光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充[J]. 光谱学与光谱分析,2007,27(11):2178-2181.
APA 贾国治.,姚江宏.,张春玲.,舒强.,刘如彬.,...&王占国.(2007).光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充.光谱学与光谱分析,27(11),2178-2181.
MLA 贾国治,et al."光致发光谱研究自组织InAs双模量子点态填充".光谱学与光谱分析 27.11(2007):2178-2181.
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