SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
电吸收调制激光器集成芯片的高频测试
侯广辉; 温继敏; 黄亨沛; 王欣; 刘宇; 谢亮; 祝宁华
2007
Source Publication中国激光
Volume34Issue:10Pages:1427-1430
Abstract提出了一种精确测试电吸收调制激光器(EML)集成芯片高频特性的方法。待测芯片制作在带有微带线的热沉上,同时采用光探测器作为光电转换器,二者构成待测双口网络。被测双口网络的一端是共面线,使用微波探针作为测试夹具加载信号,另一端是同轴线,两个测试端口不同,不能采用简单的同轴校准方法校准待测系统。测试过程中采用扩展的开路-短路-负载(OSL)误差校准技术对集成器件的测试夹具微波探针进行校准,扣除了测试中使用的微波探针对集成光源高频特性的影响,同时采用光外差的方法扣除了高速光探测器的频率响应对结果的影响,得到集成光源散射参数的精确测试结果。
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(6 51 173,6 536 1 ,9 4 1 25)资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3088604
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16153
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
侯广辉,温继敏,黄亨沛,等. 电吸收调制激光器集成芯片的高频测试[J]. 中国激光,2007,34(10):1427-1430.
APA 侯广辉.,温继敏.,黄亨沛.,王欣.,刘宇.,...&祝宁华.(2007).电吸收调制激光器集成芯片的高频测试.中国激光,34(10),1427-1430.
MLA 侯广辉,et al."电吸收调制激光器集成芯片的高频测试".中国激光 34.10(2007):1427-1430.
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