SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究
吕蓬; 郭亨群; 申继伟; 王启明
2008
Source Publication功能材料
Volume39Issue:1Pages:44-47
Abstract采用射频磁控反应溅射法结合热退火处理技术制备纳米硅镶嵌氮化硅(nc-Si/SiNx)复合薄膜。通过X射线能谱(EDS)、红外光谱(IR)、X射线衍射(XRD)及紫外-可见吸收光谱(UV-vis)的测定,对薄膜进行了组分、键合状态、结构及光学带隙的表征。采用皮秒激光运用单光束Z扫描技术开展了对该复合薄膜的非线性光学性质的研究,测得其三阶非线性折射率系数和非线性光吸收系数分别为10~(-8)esu和10~(-8)m/W量级,并将薄膜这种三阶光学非线性增强的原因归因于量子限域效应。
metadata_83华侨大学信息科学与工程学院;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金资助项目(6 678 53,6 336 1 )
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3207607
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16135
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
吕蓬,郭亨群,申继伟,等. 纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究[J]. 功能材料,2008,39(1):44-47.
APA 吕蓬,郭亨群,申继伟,&王启明.(2008).纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究.功能材料,39(1),44-47.
MLA 吕蓬,et al."纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备及非线性光学性质研究".功能材料 39.1(2008):44-47.
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