SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究
孙彦; 彭红玲; 任正伟; 贺振宏
2008
Source Publication半导体光电
Volume29Issue:1Pages:52-55
Abstract对MBE生长的InGaAs量子阱(QW)激光器的频率特性进行了研究。研制了InGaAsQW脊波导结构的激光器,通过控制脊的腐蚀深度,得到阈值电流密度为300A/cm~2的激光器,且激光器在常温下工作稳定,输出功率较大,其阈值电流附近3dB带宽超过2GHz。比较了不同电极面积时器件的调制响应,结果表明小面积电极可以有效提高器件的调制带宽。
metadata_83山西大同大学;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3217912
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16129
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
孙彦,彭红玲,任正伟,等. 脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究[J]. 半导体光电,2008,29(1):52-55.
APA 孙彦,彭红玲,任正伟,&贺振宏.(2008).脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究.半导体光电,29(1),52-55.
MLA 孙彦,et al."脊形InGaAs量子阱激光器的高频响应研究".半导体光电 29.1(2008):52-55.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
3939.pdf(386KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[孙彦]'s Articles
[彭红玲]'s Articles
[任正伟]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[孙彦]'s Articles
[彭红玲]'s Articles
[任正伟]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[孙彦]'s Articles
[彭红玲]'s Articles
[任正伟]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.