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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构
作者: 王传道
发表日期: 2008
摘要: 详细讨论了GaAs/Al_xGa_(1-x)As球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正.另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好.结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.
刊名: 物理学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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王传道.GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构,物理学报,2008,57(2):1091-1096
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