SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构
王传道
2008
Source Publication物理学报
Volume57Issue:2Pages:1091-1096
Abstract详细讨论了GaAs/Al_xGa_(1-x)As球形量子点内的单电子束缚能级随量子点半径、Al组分以及外电场的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对电子能级的修正.另外,用解析和平面波展开两种方法对球形量子点内的电子能级进行了计算,并对计算结果做了比较,发现它们符合的很好.结论和方法为量子点的研究和应用提供了有益的信息和指导.
metadata_83中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3225509
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16125
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
王传道. GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构[J]. 物理学报,2008,57(2):1091-1096.
APA 王传道.(2008).GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构.物理学报,57(2),1091-1096.
MLA 王传道."GaAs/Al_xGa-(1-x)As球形量子点中的电子结构".物理学报 57.2(2008):1091-1096.
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