SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:2Pages:315-318
Abstract采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
metadata_83厦门大学物理系半导体光子学研究中心;中国科学院半导体研究所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家自然科学基金(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3228700
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16121
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周志文,蔡志猛,张永,等. UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层[J]. 半导体学报,2008,29(2):315-318.
APA 周志文.,蔡志猛.,张永.,蔡坤煌.,周笔.,...&王启明.(2008).UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层.半导体学报,29(2),315-318.
MLA 周志文,et al."UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层".半导体学报 29.2(2008):315-318.
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