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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层
作者: 周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
发表日期: 2008
摘要: 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si_2H_6和GeH_4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm~(-1),具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm~(-2).可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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周志文;蔡志猛;张永;蔡坤煌;周笔;林桂江;汪建元;李成;赖虹凯;陈松岩;余金中;王启明.UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层,半导体学报,2008,29(2):315-318
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