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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征
作者: 林郭强;  曾一平;  段瑞飞;  魏同波;  马平;  王军喜;  刘喆;  王晓亮;  李晋闽
发表日期: 2008
摘要: 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在c面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Raman shift)对薄膜进行分析.结果表明,在c面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FwHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530″,从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与GaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90°扭转有关.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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林郭强;曾一平;段瑞飞;魏同波;马平;王军喜;刘喆;王晓亮;李晋闽.HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征,半导体学报,2008,29(3):530-533
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