SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
解理面预处理方法对二次外延的影响
张春玲; 唐蕾; 徐波; 陈涌海; 王占国
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:3Pages:544-548
Abstract利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001-bar]方向.
metadata_83南开大学物理科学学院;武警医学院物理教研室;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金((批准号:6 39 71,6 276 14,9 1 1 4),国家重点基础研究专项基金(批准号:G2 683 3),国家高技术研究发展计划(批准号:2 2AA311 7 )资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3230278
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16117
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张春玲,唐蕾,徐波,等. 解理面预处理方法对二次外延的影响[J]. 半导体学报,2008,29(3):544-548.
APA 张春玲,唐蕾,徐波,陈涌海,&王占国.(2008).解理面预处理方法对二次外延的影响.半导体学报,29(3),544-548.
MLA 张春玲,et al."解理面预处理方法对二次外延的影响".半导体学报 29.3(2008):544-548.
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