SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性
魏珂; 刘新宇; 和致经; 吴德馨
2008
Source Publication半导体学报
Volume29Issue:3Pages:554-558
Abstract研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.
metadata_83中国科学院微电子研究所;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家重点基础研究发展计划(批准号
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:3230280
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16115
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
魏珂,刘新宇,和致经,等. 具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性[J]. 半导体学报,2008,29(3):554-558.
APA 魏珂,刘新宇,和致经,&吴德馨.(2008).具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性.半导体学报,29(3),554-558.
MLA 魏珂,et al."具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性".半导体学报 29.3(2008):554-558.
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