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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: 具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性
作者: 魏珂;  刘新宇;  和致经;  吴德馨
发表日期: 2008
摘要: 研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外,还初步讨论了高频特性.
刊名: 半导体学报
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
魏珂;刘新宇;和致经;吴德馨.具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性,半导体学报,2008,29(3):554-558
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